92国产精品午夜福利免费-国产日产欧产精品精品首页-日日躁夜夜躁狠狠久久av-浓毛欧美老妇乱子伦视频-18禁高潮出水呻吟娇喘蜜芽

Semelab D2216UK 15W 12.5V DMOS射頻功率晶體管

2026-03-03 08:57:26

Semelab D2216UK 是一款采用推挽結構的高性能 TetraFET DMOS RF 功率晶體管，專為 1 MHz 至 1 GHz 的寬帶射頻功率放大應用設計。典型應用包括 HF/VHF/UHF 通信設備、寬帶功放及工業無線系統。

Minco AS5140/AS5141系列工業級帶熱套RTD溫度傳感器

2026-03-02 08:58:29

Minco AS5140（單元件）和AS5141（雙元件）鉑RTD溫度傳感器是專為液體流動和高壓工況設計的快速、精確測溫組件，內置保護熱套。產品通過銅合金尖端敏感設計和彈簧壓緊結構提升熱傳導效率與響應速度，結合高精度鉑RTD元件確保優異重復性和線性。

Marvell 88E6390X 11端口以太網交換機芯片

2026-02-26 09:12:13

Marvell Link Street? 88E6390X 是一款高度集成的11口千兆以太網交換芯片，專為SOHO/SMB、工業及輕管理應用設計。該芯片主要應用于托管/非托管型千兆交換機、路由器以及對時間確定性有嚴格要求的工業網絡環境。

Focus Microwaves手動諧波調諧器MHMT-308-2H3H(0.8–2.4GHz)

2026-02-26 09:10:04

MHMT-308-2H3H是Focus Microwaves推出的一款高性能手動諧波調諧器，專為Class F射頻功率放大器優化設計。該產品支持標準連接器（如APC-7、N型）及高功率版本（7/16連接器，200W），諧波VSWR性能優異（2fo >40:1，3fo >20:1），插入損耗低（<0.2dB），適用于高功率射頻模塊的研發、測試和生產優化。

Ampleon ART2K5TFUS/ART2K5TFUG 2500W LDMOS功率晶體管

2026-02-25 10:00:39

Ampleon ART2K5TFUS/G 是一顆“扛得住 65:1 VSWR、輸出 2.5 kW、效率近 75 %”的寬帶 rugged LDMOS，特別適合高功率、高反射、高可靠性場合。

Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

2026-02-25 09:57:09

Onsemi NTTFS6H860NL 是一款80V耐壓、30A電流的N溝道功率MOSFET，采用超小型3.3mm×3.3mm封裝，在極低導通電阻（最低16.5mΩ）下實現高功率密度，特別適用于空間受限的高效能電源管理場景，如DC-DC轉換、電機驅動和快充設備。

Vishay 597D337X0020H2T 超低 ESR 固鉭電容

2026-02-06 08:41:57

Vishay 597D系列是一款高性能的固鉭貼片電容器，以超低ESR（最低6 mΩ）、高容量-電壓密度（最高2200 μF / 75 V）、高可靠性（100%通過浪涌電流篩選）為核心特點，適用于航空、軍工及高端工業等對體積、壽命和紋波電流要求苛刻的領域。

Semelab D2002UK射頻功率MOSFET晶體管

2026-02-05 09:04:10

D2002UK 是一款由 Semelab（TT Electronics）生產的 N 溝道射頻功率 MOSFET，采用 DP 陶瓷法蘭封裝，適用于中低功率、寬頻帶（DC 至 1 GHz）的射頻放大與發射場景，典型輸出功率約 5 W，功率增益約 13 dB，具備良好的散熱性能和可靠性，常用于 VHF/UHF 功率放大器、無線通信發射模塊、工業射頻設備及測試儀表等應用。

J500系列電流調節二極管Linear Integrated Systems

2026-02-05 09:01:17

Linear Integrated Systems(LIS)推出的J500系列電流調節二極管，屬于改進型標準產品，可替代原Siliconix/Vishay J500系列，典型應用（恒流源電路、LED驅動、傳感器偏置、低功耗穩流模塊）。

Q-Tech MCM1234-1M 5×7mm高溫晶體振蕩器250kHz–100MHz

2026-02-04 09:22:47

Q-Tech 5×7mm 高溫晶體振蕩器是一款專為極端環境設計的高可靠性微型時鐘器件，采用微型陶瓷封裝，可在–55°C至+250°C的超寬溫度范圍內穩定工作。該產品支持多種電壓（1.8V至5.0V）、頻率范圍（250 kHz至100 MHz）及輸出類型（如CMOS/LVHCMOS），并符合MIL-PRF-55310等嚴苛標準，適用于高溫航空電子、石油天然氣井下工具、隨鉆測量及高沖擊工業設備等關鍵領域。

Lantronix XP1001000-05R,XP100200S-05R嵌入式設備服務器|串口轉以太網模塊

2026-02-04 09:19:34

Lantronix XPort? 是一款高度集成的嵌入式設備服務器模塊，體積小巧（僅拇指大小），通過將完整的網絡硬件與軟件集成于RJ45封裝內，使傳統串口設備能夠快速、低成本地實現以太網聯網功能。它支持廣泛的通信協議（如TCP/IP、HTTP、SNMP等）和多種管理方式（包括Web、Telnet），具備-40°C至85°C的寬溫工作能力，適用于工業自動化、遠程監控、智能儀表及設備遠程維護等多種場景，顯著降低了產品網絡化的開發難度與時間成本。

PDI TV05系列超小型VCTCXO：5×3.2mm封裝,ppm級穩定,-145dBc/Hz相位噪聲

2026-02-03 08:46:05

PDI推出的TV05系列壓控溫補晶振（VCTCXO），超小尺寸且高可靠，專為對頻率精度和相位噪聲要求極高的通信、導航、工業及射頻前端應用設計，具備10 - 52 MHz頻率范圍、±0.5 / ±1 / ±2 / ±2.5 ppm全溫頻率穩定度（可選）等技術規格，典型應用于LTE/5G小基站、高精度接收機等場景。

DATEL DAC-1412SE/SM 14位數模轉換器(DAC)

2026-02-03 08:42:13

DATEL公司推出的DAC-1412是一款采用CMOS工藝和分段電流源拓撲的14位高速DAC，支持125MHz采樣率、2mA至20mA電流輸出、低毛刺能量和3.0V~5.0V寬電壓供電，提供工業級（-40℃~+105℃）、軍工級（-55℃~+125℃）以及高可靠性陶瓷封裝等選項，適用于高精度信號生成場景。

iNRCORE TA-1001003G巴倫適配器非平衡100Ω →平衡100Ω

2026-01-29 08:59:51

TA-1001003G 是 iNRCORE 公司設計的一款高頻巴倫適配器，專為 SMPTE 數字視頻等高速信號傳輸應用而優化。該巴倫適配器廣泛應用于廣播、視頻傳輸及通信設備中，實現單端與差分信號之間的低損耗、寬頻帶轉換。

XPE200100B Lantronix嵌入式以太網網關|RJ45串口轉以太網IoT模塊

2026-01-28 09:12:16

Lantronix XPort? EDGE是一款集成安全以太網通信、IoT連接與遠程設備管理功能的嵌入式智能網關，其外形為標準RJ45以太網接口尺寸，可直接嵌入設備。它基于ARM Cortex-R4處理器，支持10/100 Mbps以太網、高速串口、可編程GPIO，提供完整的網絡協議棧（包括IPv4/IPv6、TCP/IP、HTTPS等）與設備管理服務（如SNMP、遠程發現），適用于工業自動化、能源監控、醫療設備、樓宇自控等場景，幫助制造商快速為產品添加安全可靠的云連接能力。

Ampleon射頻功率晶體管現貨供應BLF189XRA,BLF188XR,ART2KOFE,BLC8G24LS-241AV

2026-01-26 16:29:18

Ampleon射頻功率晶體管到貨了！型號如下：BLF189XRA,BLF188XR,ART2KOFE,BLC8G24LS-241AV,BLF573S。Ampleon 射頻功率晶體管涵蓋 LDMOS 與 GaN 技術，具備高功率、高效率與高可靠性，廣泛應用于 4G/5G 基站、廣播發射、工業與雷達系統，支持長期穩定供貨。

Q-Tech高溫振蕩器QTCH230,QTCH350,QTCH570

2026-01-23 09:12:17

Q-Tech 推出的 QTCH 系列QTCH230,QTCH350,QTCH570超小型高溫振蕩器具備極高的環境適應性，可在 -55°C 至 +200°C 的極端溫度范圍內保持穩定工作，主要面向航空航天、石油勘探、井下儀器、汽車電子及工業高溫環境等高要求應用場景。

Connor-Winfield 200MHz OCXO X213-200.0M規格速覽

2026-01-21 09:16:26

Connor Winfield X213系列是一款頻率在100 MHz至200 MHz之間的超高頻LVCMOS恒溫晶體振蕩器（OCXO），提供100 MHz、125 MHz、155.52 MHz和200 MHz四個標準頻點；以200 MHz型號為例，它采用3.3 V供電，頻率穩定度為±25 ppm，封裝為5.0 × 7.0 mm陶瓷表貼，工作溫度范圍為-40°C至85°C，適用于通信和儀器儀表等對頻率穩定性要求較高的領域。

Semelab D2220UK射頻功率MOSFET

2026-01-21 09:15:43

D2220UK是TT Electronics旗下Semelab生產的一款N溝道射頻功率MOSFET，采用SO-8表面貼裝封裝，適用于1 MHz至1 GHz的高頻放大應用，如通信基站、射頻放大器和無線電收發系統。其關鍵參數包括40V漏源擊穿電壓、4A連續漏極電流和約5W輸出功率，具備約10dB增益和最高150°C結溫工作能力，符合RoHS環保標準。

Onsemi車規級高壓功率MOSFET NVB055N60S5F

2026-01-20 09:11:05

onsemi推出的NVB055N60S5F是一款采用D2PAK封裝的單N溝道SUPERFET? V系列功率MOSFET，專為600V高壓、大電流場景設計，關鍵指標包括：漏源電壓600V、最大導通電阻55mΩ、脈沖漏極電流159A、連續漏極電流45A、最大功率耗散278W以及工作溫度范圍-55°C至150°C。