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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時連續漏極電流達3.5A（100°C時為2.25A），最大功耗15W。其導通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動態特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關延遲15-45ns，適用于高頻開關場景。該器件特別適合電源管理、電機驅動及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統，兼具高效能和快速響應特性。

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  Broadcom PEX89000系列PCIe Gen 5.0 (32 GT/s)交換機 2024-01-23 10:52:59

  Broadcom?PEX9700/8700/88000系列交換機以PCIe Gen 3.0和Gen 4.0速度運行，廣泛用于ML/AI和存儲應用。Broadcom現在推出PEX89000系列PCIe Gen 5.0 (32 GT/s)交換機，使客戶能夠構建從簡單的機箱內PCIe連接到高性能、低延遲、可擴展、經濟高效的PCIe結構的系統，用于支持ML/AI和服務器/存儲應用的可組合超大規模計算系統。