Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET
發布時間:2025-04-09 09:17:48 瀏覽:2924

SD11461 是一款由 Solitron Devices 生產的 N 通道功率 MOSFET,以下是其詳細介紹:
基本特性
電壓與電流:漏源極電壓(VDS)為 100V,連續漏極電流(ID)在 25°C 時為 35A。
導通電阻:在 25°C、10V 柵源電壓和 30A 漏極電流條件下,漏源導通電阻(RDS(on))典型值為 25mΩ。
封裝:提供 TO-258 和 TO-254 3 引腳封裝,具有低熱阻,適合高功率應用。
性能特點
快速開關能力:優化了開關速度,適用于高頻應用,如開關電源和 DC-DC 轉換器。
高功率耗散能力:最大功耗為 147W,能夠承受較高功率。
溫度范圍:工作和存儲溫度范圍為 -55°C 至 +150°C,適合惡劣環境。
封裝優勢:采用密封隔離封裝,具有良好的可靠性和抗干擾能力。
應用領域
電源管理:用于開關模式和共振模式電源、DC-DC 轉換器、功率因數校正(PFC)電路。
電機驅動:適用于 AC 和 DC 電機驅動,以及機器人和伺服控制系統。
高頻應用:快速開關特性使其適合高頻電源轉換和控制。
電氣特性
閾值電壓:柵極閾值電壓(VGS(th))范圍為 2.0V 至 4.0V。
漏極電流:在 25°C 和 100V 漏源電壓下,漏極電流(IDSS)為 5.0μA。
柵極漏電流:在 ±20V 柵源電壓下,柵極漏電流(IGSS)為 ±100nA。
導通電阻:在 10V 柵源電壓和 30A 漏極電流下,漏源導通電阻(RDS(on))范圍為 20mΩ 至 40mΩ。
電容特性:輸入電容(Ciss)為 4300pF,輸出電容(Coss)為 450pF,反向轉移電容(Crss)為 175pF。
開關時間:開啟延遲時間(td(on))為 15ns,上升時間(tr)為 12ns,關閉延遲時間(td(off))為 47ns,下降時間(tf)為 12ns。
柵極電荷:總柵極電荷(Qg)為 87nC。
二極管特性
源極電流:連續源極電流(Is)為 35A,脈沖源極電流(sm)為 100A。
正向電壓:在 30A 漏極電流下,源極二極管正向電壓(Vsd)范圍為 1V 至 1.5V。
反向恢復時間:在 10A 漏極電流和 100A/μs 的 di/dt 下,反向恢復時間(trr)范圍為 89ns 至 120ns。
尺寸與封裝
TO-258 封裝:具有較大的散熱片和引腳,適合高功率應用。
TO-254 封裝:尺寸較小,適合緊湊型設計。

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