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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  DS90CR286MTD接收器TI德州儀器現貨 2024-06-20 09:09:10

  DS90CR286MTD是一款由德州儀器(TI)生產的高性能LVDS接收器，與DS90CR285發送器配合使用，構成Channel Link芯片組。它將LVDS鏈路傳輸的4個數據流和1個時鐘信號轉換為28位LVCMOS/LVTTL格式。在66 MHz時鐘下，每個LVDS通道速率462 Mbps，總吞吐量1.848 Gbit/s(231 MB/s)。