- 產品詳情
1200 V, 40 A IGBT，采用反并聯二極管，TO-247 封裝
1200 V、40 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT4，采用續流二極管在 TO247 中封裝，由于結合了溝槽單元和場終止概念，顯著提高了靜態和動態性能。IGBT 和軟恢復發射極控制二極管的結合進一步降低了開通損耗。由于開關和傳導損耗間可實現折衷，因此可實現高效率。
特征描述
更低的傳導損耗實現較低的 VCEsat 壓降
低開關損耗
由于 VCEsat 中的正溫度系數，因此易于進行平行開關
非常軟且快速恢復的反平行發射極控制二極管
具有高魯棒性、溫度穩定的行為
低電磁干擾輻射
低柵極電荷
非常嚴格的參數分配
優勢
高效率 - 得益于低導通和低開關損耗
600 V 和 1200 V 的全面產品組合可實現設計的高靈活性
器件可靠性高
參數：
| Parametrics | IKW40N120T2 |
|---|---|
| Eoff (Hard Switching) | 3.8 mJ |
| Eon | 4.5 mJ |
| IC (@ 25°) max | 75 A |
| IC (@ 100°) max | 40 A |
| ICpuls max | 160 A |
| IF max | 75 A |
| IFpuls max | 160 A |
| Irrm | 31 A |
| Ptot max | 480 W |
| Package | TO-247-3 |
| QGate | 192 nC |
| Qrr | 3300 nC |
| RG | 12 ? |
| RGint | - |
| Switching Frequency | TRENCHSTOP?2 2-20 kHz |
| Switching Frequency min max | 2 kHz 20 kHz |
| Technology | IGBT TRENCHSTOP? 2 |
| VCE(sat) | 2.3 V |
| VCE max | 1200 V |
| VF | 1.75 V |
| td(off) | 405 ns |
| td(on) | 32 ns |
| tf | 195 ns |
| tr | 28 ns |
